秦昊阳指向前方一台设备，“你看，这里的对准误差控制已经压到工艺极限，稍微偏个0.02微米，良率就跳水。每天设备维护和重复校准几乎占了工程师一半精力。”
良率是芯片制造中的一个关键指标，指的是生产过程中产出的“合格产品”占总产品数量的比例。良率越高，说明制造工艺越稳定，单颗芯片成本越低。
核心设备精度不稳，工程师被迫将大量时间耗在维护和重复校准上，原本应投入工艺改进的空间被严重压缩。而工艺迟滞又加剧了设备老化，使整个系统陷入恶性循环。
姜蕴宁俯身看了看控制面板，目光落在关键参数上，随口问：“你们用的是193nm的浸没式ArF光刻机吧？”
秦昊阳点头道：“是的，193nm浸没式ArF光刻机理论上支持14纳米及以上工艺，我们利用多重曝光技术，勉强实现了7纳米节点的小规模试产，但良率低，远不能满足大规模量产需求。至于更先进的5纳米制程，目前完全无法实现。”
对“苍穹X1”来说，它还能勉强应付。
但到了“苍穹X2”，这台设备的能力，已经完全无法支撑。
更不用说之后的核心芯片制程——它根本迈不过那道制程门槛。
姜蕴宁没应声，视线继续下移，在掩膜台控制界面上停了一秒，若有所思地开口：“掩膜台系统还是老一代的多层驱动结构？”
掩膜台是光刻机中负责精确移动光掩膜的位置系统，要求极高的定位精度和响应速度，以确保图案准确投射到硅片上。当前，国内采用的掩膜台驱动技术相对老旧，难以满足更高的精度和更快的响应需求，已成为限制芯片制造精度提升的关键瓶颈之一。
还以为姜蕴宁只是来走个过场，没想到她问题一个接一个。
秦昊阳苦笑道：“没错，设备老旧，升级空间有限。姜工，您这是来‘查账’的吧？”
姜蕴宁轻笑一声，目光却依旧盯着那台缓慢运转的设备：“193nm光源本身就接近极限了，要做到7纳米以下，掩膜畸变和热漂移这些问题根本绕不过去。光源功率有限，对准系统又落后，光靠调整工艺根本救不了。”
她转头问秦昊阳：“这台设备还能撑多久？”
“如果‘苍穹X1’继续上量……最多半年，这还是最乐观的估计。原本订购的新设备因为灯塔国突然收紧技术封锁和贸易限制，被全面叫停，先进材料和高端设备的供应被切断。之前大家都没料到灯塔国会突然加码封锁，导致所有新设备的订单瞬间陷入停滞。我们原以为现有设备还能支撑一段时间，准备工作也在有序推进中，却没想到被打了个措手不及。”
他顿了顿，目光落在远处缓慢运转的光刻机上：
“而对‘苍穹X2’这类更高规格芯片的需求来说，现在这批光刻机根本跟不上，分辨率和系统稳定性都已经压到了极限。说得直白点，现在的设备已经无法‘看清楚’掩膜版上的关键细节，越复杂的线路，误差越大。”
姜蕴宁点了点头，目光更加坚定：“也就是说，想要真正突破，就得从设备本身动刀，靠工艺参数的小修小补，已经远远不够了。”
时间，已所剩无几。
“苍穹X2”的出现，显然让他们感受到了真正的威胁。
走访结束后，姜蕴宁独自坐在控制室，翻阅技术日志，一页页调阅良率波动曲线与关键设备误差记录。数据清晰得近乎残酷：光刻系统的极限，早已不是某个参数的问题，而是整套系统架构落后、性能瓶颈日益加重的系统性崩溃。
她在笔记本上写下几个关键词：“EUV光源”、“多重对准系统”、“热场控制”、“平台稳定性”。
那一刻，她心中已有明确方向。
光刻机，必须有人来攻克。
如果没有，那她来。
姜蕴宁离开芯片制造车间后，直奔上级主管部门的办公室。
一个星期后，姜蕴宁现身于华国光电设备研究所。
这所研究所，是国内最早涉足光刻设备研发的单位之一，长期扎根于193nm ArF系统，积累了深厚的技术经验，在机械控制、光学调校等关键环节具备坚实基础。然而在更高阶的EUV领域，却始终难以迈出关键一步。
她随行简约，仅携带一台笔记本电脑，里面载有“苍穹X2”后期架构模拟器、压缩算法模型及若干关键工艺分析图表，以及一本亲手撰写的技术笔记。两名安保人员默默陪同，这场闭门对接没有对外披露。
她来此，并非寻求配合，而是带着方案而来。
研究所所长莫清文刚收到来自最高层的指示——全力支持姜蕴宁工程师的工作，集中调配所内资源，攻克光刻机技术瓶颈。鉴于当前技术受限与国家战略需求的双重压力，必须加快投入、优先保障、强化攻关，推动国产光刻设备实现关键突破与加速产业化。
这章没有结束，请点击下一页继续阅读！